半導體封裝金屬種子層濺鍍機 提升封裝製程效率與可靠性 產品簡介 本立式雙面連續濺鍍線專為半導體先進封裝之金屬種子層製程而設計,採用低溫濺鍍技術,搭配特殊Cathode設計,確保鍍膜品質,提升生產效率。 設備特色 立式雙面連續濺鍍線(In Line Sputter)。低溫濺鍍製程,Tact Time 短, Throughput 高。有效鍍膜尺寸:L750 x W620 mm (可客製化)。適用基材: Glass、Si 、 ABF、BT等。鍍膜材料: Ti、Cu、Cr、Al、Mo、NiCr、NiCu合金及氧化物…等。特殊Cathode 設計,孔壁覆蓋率良好,適用深寬比 (Aspect Ratio) 高的通孔。薄膜膜質緻密、孔隙度低、導電度優。製程調控技術可獲得高附著力的種子層。模組化設計,設備可依未來產能需求擴充。 適用半導體2.5D/3D先進封裝製程 TGV Seed Layer 製程。RDL Seed Layer 製程。UBM Seed Layer 製程。 為什麼選擇我們的濺鍍機? 提升封裝良率 高品質的種子層,確保後續製程的順利進行。 縮短產品上市時間 高效率的生產,加速產品上市。 降低生產成本 優化的製程,降低生產成本。 符合先進封裝需求 滿足2.5D/3D先進封裝對種子層的高品質要求。